第一百八十三章：制备碳化硅晶体管
第一百八十三章：制备碳化硅晶体管 (第3/3页)
大概两千多颗就够了。
虽然数量上还是很庞大，但相对比电子管动辄百万颗的数量来说，两千颗晶体管已经很少了。
等待了三十分钟，韩元将被侵蚀的差不多的碳化硅晶材用清水清晰干净，然后再重复几次这个步骤。
氢氟酸虽然能侵蚀碳化硅，但需要多次重复侵蚀才能达到他的要求。
需要的时间自然就很漫长了。
耗费了一上午的时间，三十颗粗加工的碳化硅晶材才处理完成。
这些晶材依旧使用功能的不同，形状不同，被侵蚀的部位也不同，而且需要侵蚀的程度也不同。
处理好这些碳化硅晶材后，韩元先弄了点午餐，吃完后就立刻回到了实验室，并没有按照以前的方式休息一会。
他现在想尽快完成这个二级任务。
回到化学实验室，韩元从储物间中取出来硫酸、硝酸等一些下午需要用材料。
“昨天我跟大家讲过了，三晶体管一共有三层，每一层的物质组成结构和作用都不同。”
“上午我处理好的碳化硅晶材，就是一层，也是碳化硅晶体管的主体。”
“而现在，我要来给主体来添加另外两层极点了。”
“这次我制备的晶体管，从功能上来说，属于信号放大晶体管。”
“所以我需要按照昨天讲解的方式，给他添上n-漂移层和p阱，来起到聚集电子和放大电信号的作用。”
“至于材料，n-漂移层和昨天讲解一样，用的是铝，不过并非是简单的用铝包裹一层。”
“而是需要将铝制备成铝离子，然后注入到上午侵蚀出来的沟槽中，从而形成稳定的n-漂移层。”
“所以我现在需要先将铝离子制备出来。”
一边讲解，韩元一边动手处理材料。
铝离子的制备对已经掌握了初级化工应用知识信息的他来说很简单。
用硫酸盐或者氯盐在强氧化剂的保护下就可以制备出来。
而且制备出来的铝离子含量还相当高，足够他用来制造晶体管中的n-漂移层了。