第一百八十五章：N-漂移层
第一百八十五章：N-漂移层 (第3/3页)
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这样低的渗透损伤率，如果应用到芯片的制造上.......。
实验室的中年组长已经不敢再想下去了。
正如华国京城某间实验室中一样，这样的场景不断重复在世界各地中。
模拟空间中，一下午的时间很快就过去了。
经历过整整六次的渗透处理后，太阳也下山了。
但今天的直播到现在还不能停下。
渗透处理过后的碳化硅晶材需要更进一步处理，将刚注入的铝离子稳定下来，形成可用的n-漂移层。
至于稳定的方法，那就是通过高温进行退火处理。
清洗干净的碳化硅晶材吹干后整齐的倒放在干燥的玻璃容器中，韩元从一旁的材料中翻出来一个透明塑料袋。
里面是细细的黑色粉末，上面还有一个纸制标签，写着‘碳粉’两字。
将袋子打开，里面碳粉取出来装入注入了铝离子的沟槽中，覆盖住整个沟槽。
三十颗碳化硅晶材全都处理好后装入金属盘中，然后送入高温熔炉中。
熔炉中的温度控制在一千一到一千四百度之间。
这一步很重要，通过高温加碳粉在碳化硅晶材的n+漂移层上形成一道保护膜，可以稳定有效的控制住n-漂移层中的电子流失。
高温退火的过程是三个小时左右。
从太阳下山，一直到月亮升起，韩元才将熔炉中的碳化硅晶材拿出来，冷却后清理掉多余的碳粉。
处理完成后的碳化硅晶材的n-漂移层再通过浓硫酸来清理掉顽固的碳渣。
这一步完成后，韩元才松了口气。
碳化硅晶体管中最难处理的n-漂移层他已经制备完成了。
剩下的，明天再来处理就行了。
和直播间里面观众打了个招呼，他便停下了直播。
n-漂移层处理完成后，剩下的工作相对而言就简单多了。
当然，这只是针对他制造的这种碳化硅晶体管来说的。
如果是现代化的集成芯片，后面还需要注入p阱、p+接触区、n+接触点、p-区域等一些列的步骤。
麻烦程度可不止一点半点的。
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