第一百八十九章：aoe伤害，最惨的米国（求订阅）
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第一百八十九章：aoe伤害，最惨的米国（求订阅） (第1/3页)（第二更送到，求订阅月票，晚上还有四千字，今日万更！）
下播后，韩元回到了居住室弄了些吃的犒劳了一下自己，丝毫不知道现实中已经逐渐开始乱套了。
事实上，当他给碳化硅晶材使用‘电热-渗透法’注入铝离子的时候，硅晶材料和芯片这方面就已经开始乱套了。
一种全新、稳定、能极少损坏碳化硅晶材中碳原子的离子注入法，引起了不少国家和研究这方面科学家的关注。
在确认这种方式有效后，这一波造成的aoe伤害范围可不小。
包括华国在内，还有米国、岛国、风车国等有能力制造离子注入机和离子源的国家都开始有些急了。
华国其实还好，虽然国内有凯世通和中科信两家离子注入机行业的龙头企业，算得上是是世界领先。
但领先的是光伏离子注入机方面，离子渗透在光伏这方面目前还没展示出应用。
真正惨的是米国和岛国。
离子渗透法在应用方面从理论上来说可以代替米国ic离子注入机，尽管做不到全部。
但伤害性真不小。
要知道在这种方式没面世前，米国拥有近乎垄断ic离子注入机市场的应用材料。
凡事涉及到芯片制造、高科技合金镀层的，都得从他手里买。
‘电热-离子渗透法’这一枚炸弹丢下，至少在铝离子方面的离子注入，已经和他们无关了。
如果说真的能将‘电热-离子渗透法’应用起来，哪怕是一部分的应用。
那米国这一波损失的，恐怕是每年上十亿甚至几十亿米金的市场。
而更关键的，还是今天的直播。
碳化硅晶体管的成功制备，让这研究方面的科学家看到了碳化硅晶材在芯片上的应用。
如果能成功的话，那撬动的可能就不是几十亿米金的市场了，而是百亿、千亿级别。
毕竟碳化硅半导体比单晶硅在性能方面要优异很多。
如果能用碳化硅晶材取代单晶硅作为基底的话，在芯片性能方面绝对能提升不少。
所以在韩元今天的直播结束后，准确的说是碳化硅晶体管放
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