第二百八十五章：华国的布局
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第二百八十五章：华国的布局 (第1/3页)在通过弹幕了解到国内的厂商直接和岛国杠起来后，韩元并没有多说什么，而是转身继续完成制备单晶硅。
不过却有细心的观众和各国的专家们发现这名主播的讲解，似乎详细了不少。
“‘化学气相沉积-硅核心外延法’制备单晶硅最主要的方式一般是两种。”
“第一种是‘四氯化硅氢还原法’。”
“之前看过我制备碳化硅晶材的朋友应该就知道，‘四氯化硅氢还原法’是制取高纯度多晶硅的一种方法。”
“但事实上它同样是可以用来制备单晶硅的。”
“不过我今天使用的并非这个，而是第二种‘硅烷热分解法’。”
“相对于‘四氯化硅氢还原法’来说，‘硅烷热分解法’更加简单，制备流程走的步骤也更少一些。”
“不过有一点要注意。”
“那就是温度。”
“温度对硅烷外延生长速度影响不大，但对外延层质量影响很大。”
“例如，当温度高于1100℃时，外延层的自掺杂效应较为严重，反之，若温度过低，外延层的晶体完整性差、缺陷多。”
“实践证明:当用氢气作携带气体时，1050℃左右为最佳生长温度；影响硅烷外延生长速度的最主要因素是硅烷在氢气中的浓度，一般随着氢气中硅烷的增加，生长速度也按比例增加的......”
“另外要注意的是，虽然硅烷热分解外延具有生长温度较低，反应机构简单，无卤化物、无自渗杂等优点。”
“但硅烷易燃易爆，而且硅烷外延时生成的单晶硅受硅烷气体纯度的影响较大，外延层杂质的分布也比较难控制。”
“所以如何提炼出来高纯度的硅烷气体，以及保持设备内的无尘净结是使用‘硅烷热分解法’制备单晶硅的重点。”
“........”
通过韩元不断的讲解，直播间里面的观众在一些其他观众的提示下，也逐渐发现讲解内容变得更加详细了。
像温度控制这种具体到某一个点，生长速度随着氢气携带浓度的提升而提升这种类型的细节，在以前的直播过程中是绝对没有的。
而这一次有了。
这让直播间里面的绝大部分观众都兴奋了起来，三朋五友的，这些观众不断在现实中呼喊自己的朋友前来观看。
尽管他们看不懂，甚至都听不懂韩元到底在说什么。
但直播间里面的观众人数依旧在迅速上涨。
.......
主播间内热闹无比，不过观众转移话题的速度依旧是那么快。
韩元一边讲解，一边扫了眼弹幕。
同逗鱼平台大名鼎鼎的周姐他还是认识的。
作为一名逗鱼平台的‘忠实’用户，他怎能不认识大名鼎鼎的‘哑巴周姐’。
这是个不说话的御姐味十足，说话的男人味十足的‘妹子’。
再加上一手不管怎么露超管都不会管的梗，周姐还是挺出名的。
没有理会这些弹幕，韩元将自己的注意力放在手头上的工作上。
与此同时，现实，华国，位于京城的中科院‘重大科技任务局’联合工程院‘冶金与材料工程学部办公室’在傍晚七点多召开了一场新闻发布会。
这种已经处于下班时间还临时召开发布会的事情，引起了不少人和不少国家的注意
特别是在今天还
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