第833章 氮化硅和电子陷阱
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第833章 氮化硅和电子陷阱 (第1/3页)有关系！
绝对有关系！
陆远江也是眉头紧锁，在想氮化硅在闪存上有啥用。
过往的经验告诉他，陈总绝对不会无的放矢，不会随便说一种元素的，这个氮化硅绝对有用。
就是一时间想不出来要应用在哪里，毕竟整个半导体工艺的工序太多了。
陈星在旁边也没敢打扰这二位，主要是他在这方面知道的实在不多……
突然，陆远江转过头和林先动对视了一眼，都从对方眼神中看到一种不可思议。
再看陈总现在，一脸的老婶在定，仿佛早知道自己能猜出来一样。
哎，陈总不愧是陈总啊。
一个元素就能指明绕过IBM和美光专利的路线。
“电子陷阱！”
“氮化硅能捕获电子！”
陆远江和林先动猛地一喊，把陈星吓了一跳，嗯？
这就有想法了？
“陈总，你的意思是说，IBM用的是导电浮栅来控制电子的移动，这也是他们的核心专利范围，所以我们利用氮化硅能捕获电子的特性，人为制造电子陷阱来控制，这样就完全绕开了他们的专利。”
“只需要在基础 MOSFET、通用光刻、通用隧穿物理等行业通用基础专利进行小额授权就够了！”
“陈总，我服，我老陆服了。”
陆远江一边摇着头，一边看陈星那一脸淡定的样子，心里的佩服简直到了无可复加的地步。
林先动也是补充道：“常规工艺是电子在导体浮栅自由移动，单元间存在电容耦合干扰，美光拥有耦合抑制、浮栅电荷均衡全套方法专利，如果我们使用氮化硅，电子被绝缘介质离散陷阱锁住，无导体耦合，串扰天然更低，不需要浮栅专属补偿算法，就能规避大量工艺方法专利。”
“说不定我们能搞定这套工艺，未来还能卡住他们的脖子。”
“就是这个氮化硅一层结构是不
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